ФИО - Сафронов Александр Николаевич   Образование   1. Аспирантура Московского инженерно-физического института (1987-1990). 2. Механико-математический факультет (вечернее отделение) Московского Государственного Университета им М.В. Ломоносова по специальности прикладная математика (1982-1987). 3. Факультет Экспериментальной и Теоретической физики Московского Инженерно-Физического Института. Диплом с отличием по специальности твердое тело и квантовая электроника (1977-1982).   Квалификация   Кандидат физико-математических наук. Диссертация по теоретической физике Исследование переходного и квазипереходного излучения  защищена в 1994 (специализация - физика твердого тела, физика лазеров).   Сертификат N 2401131 Microsoft по программированию Basic/Visual Basic 5.0/6.0.   Профессиональные навыки   Работа с операционными системами:               Windows XP             Windows 95/98, 2000             Windows NT 4.0             DOS   Работа с языками программирования и программным обеспечением:               C++ Builder 5/6, Firebird             C/C++, Visual C++, MFC             Basic /Visual Basic 5.0/6.0             InterBase 5, Microsoft SQL Server 7, Microsoft Access              JavaScript, HTML, MS Front Page             FORTRAN 4.0 / FORTRAN Powerbiblioion 4.0             MS Office 97 / MS Office 2000             Power Point             Photoshop 4.0 /5.0             Netscape/Internet Explorer             TeX/LaTeX   Профессиональный опыт   C 2002 Работа в Институте физики атмосферы им. А.М.Обухова  в должности ведущего математика. Разработка программного обеспечения для работы с базой данных по анализу газового состава атмосферы. 1990-1995      Работа в Московском Институте тонкой химической технологии (МИТХТ, Академия) в должности ассистента. 1982-1987      Работа ИАЭ им. И.В.Курчатова, Москва в должности инженера-исследователя. Разработка программного обеспечения для исследований спонтанного электромагнитного излучения генерируемого ондулятором (FEL), численных вычислений магнитных полей ондулятора, траекторий движений электронов и углового и частотного распределения генерируемого спонтанного излучения.   Публикации   1) M.I. Ryasanov, A.N. Safronov "Microscopic Theory of high-frequency transient radiation in the grazing incidence of a particle on an interface" 1997, Laser Physics, v.7, p.1068.   2) Сафронов А.Н. "Феноменологическое описание влияния моноатомного слоя на переходное излучение" 1997, Поверхность, N.2, с.66 76.   3) M.I. Ryasanov, A.N. Safronov "Effects of interference in transient radiation" 1996, Lasers Physics, v.6, pp.708 712.   4) Рязанов М.И., Сафронов А.Н. "Квазипереходное излучение поверхностных волн", ЖЭТФ,1993, т.104, c.3512 3520.   5) Рязанов М.И., Сафронов А.Н. "Квазипереходное излучение при отражении заряженной частицы от поверхности кристалла", ЖЭТФ, 1993, т.103, c.547 554.   Педагогический опыт   1990-1996      Работа в должности ассистента на кафедре физики, Московской Академия тонкой химической технологии МИТХТ, проведение семинарских и лабораторных работ по курсу общей физики, прием зачетов и экзаменов, подготовка экзаменационных билетов и разработка проверочных тестов   Адрес: 117333 Москва  Дм. Ульянова д.4, к.1, кв.52 Телефон: 137-87-95 E-mail:  AN_Safronov@mtu-net.ru ;  safronov_2003@mail.ru